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Yb:YAG Kristalle
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Yb:YAG Kristalle

Haupteigenschaften

 

  • Einfache Elektronenstruktur schließt die Absorption der Anregungszustände aus sowie eine Vielzahl schädlicher Quenching-Prozesse
  • Breites Absorptionsband bei 940 nm
  • Lange Lebensdauer des Energiezustands 2F5/2 von Ytterbium
  • Geringer Quantendefekt
  • Kundenspezifische Kristalle auf Anfrage erhältlich

 

Anwendungsbeispiele

 

  • Materialbearbeitung, Lasermikrobearbeitung, Schweißen, Schneiden
  • Effiziente Hochleistungs-Scheibenlaser
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  • Beschreibung
  • Eigenschaften
  • Absorptions- und Emissionskurven
  • Standardspezifikationen

Kristalle aus Yb3+:YAG haben eine Lebensdauer des Energiezustands 2F5/2 von Ytterbium von 950 μs bei einem Quantendefekt von lediglich ~9%. Yb:YAG Kristalle haben zudem ein breites, zum Pumpen geeignetes Absorptionsband bei 940 nm das über 10 Mal breiter ist als die Absorptionslinie der Nd:YAG Kristalle bei 808 nm. Das macht Systeme aus Yb:YAG wesentlich unempflindlicher gegenüber thermischer Verschiebung der Wellenlänge der Pumpdiode. Yb:YAG Laser emittieren üblicherweise bei entweder 1030 nm (stärkste Linie) oder bei 1050 nm. Das Material wird oft in leistungsstarken und effizienten Scheibenlasern verwendet.

Spectroscopic and thermo-mechanical properties
Absorption peak wavelength 942 nm
Absorption cross-section at peak wavelength 7,7 × 10-21 cm2
Absorption bandwidth at peak wavelength 18 nm
Laser wavelength 1030 nm
Lifetime of 2F5/2 ytterbium energy level 950 μs
Emission cross-section @1030 nm 2,1 × 10-20 cm2
Refractive index @632,8 nm 1,83
Crystal structure Cubic
Density 4,56 g/cm3
Mohs hardness 8,5
Thermal conductivity ~13 Wm-1 K-1
dn/dT 7,8 × 10-6 K-1
Thermal expansion coefficient 6,2 × 10-6 K-1
Typical doping level 1-20 at. %

Yb:YAG crystals
Orientation [111]
Extinction ratio >28 dB
Clear aperture >90%
Face dimensions tolerance +0,0/-0,1 mm
Length tolerance ±0,1 mm
Parallelism error <20 arcsec
Perpendicularity error <10 arcmin
Protective chamfers <0,15 mm at 45˚
Surface quality 10-5 S-D
Surface flatness <λ/10@632,8 nm
Wavefront distortion λ/4@632,8 nm
Coatings AR(R<0,5%)@940 nm + AR(R<0,2%)@1030 nm on both faces
Laser induced damage threshold >10 J/cm2@1030 nm, 10 ns
Mount Unmounted
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Face dimensions Length End faces Doping Coatings SKU PREIS MENGE
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10%
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